Что такое MOCVD

В процессе MOCVD нагретая пластина подвергается воздействию газового потока, содержащего "прекурсоры", такие как триметилгаллий и аммиак (TMGa, NH3). Эти прекурсоры разлагаются при нагревании, обычно при температурах от 400°C до 1300°C в зависимости от материала, который необходимо осадить.

Металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы (MOCVD) - это модифицированная версия химического осаждения из паровой фазы (CVD) [22,23]. Он используется для получения высокочистых кристаллических полупроводниковых тонких пленок и микро/наноструктур.

MOCVD, также называемый MOVPE или OMVPE, - это широко распространенный метод выращивания полупроводниковых материалов группы III-V на кремниевой подложке.

Помимо возможности достижения высокой точности производства, MOCVD дает преимущество осаждения тонких пленок в больших объемах. Такая возможность крупномасштабного производства обеспечивает более высокую точность по сравнению с другими методами. Кроме того, MOCVD является гибким процессом, что делает его более экономичным выбором по сравнению с другими процессами.

Многие компании предоставляют субсидии в размере 8-10 миллионов юаней (примерно $1,2-$1,5 миллиона) на покупку MOCVD-реакторов. Эти реакторы, относящиеся к последнему поколению высокопроизводительных систем, обычно стоят около $2,5 млн каждый.

Изобретенный в компании Rockwell International Гарольдом Манасевитом, MOCVD был готов к дальнейшим исследованиям и продвижению, когда в 1975 году частью компании стал Рассел Дюпюи.

Под барботером в MOCVD понимается цилиндр, являющийся неотъемлемой частью системы химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD). Эти устройства специально разработаны для переноса металлоорганических соединений электронного класса из жидкого или твердого прекурсора в парообразную форму, которая может быть использована в процессе.

Типичная скорость роста металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) пленок GaN с высокой подвижностью составляет от 2 до 3 мкм в час.

Технология MBE известна своей высокой точностью, но она имеет высокую цену и требует сверхвысокого вакуума. С другой стороны, MOCVD - это более экономичный вариант, который работает под давлением. Однако важно отметить, что MOCVD не может обеспечить такой же уровень точности, как MBE. В конечном итоге выбор между этими двумя методами должен основываться на специфических требованиях приложения и желаемом уровне контроля над слоями покрытия.