מה זה MOCVD

בתהליך MOCVD, רקיק מחומם נחשף לזרם גז המכיל 'קודמים' כגון טרימתיל-גליום ואמוניה (TMGa, NH3). מבשרים אלה מתפרקים בעת חימום, בדרך כלל בטמפרטורות הנעות בין 400 מעלות צלזיוס ל-1300 מעלות צלזיוס בהתאם לחומר שיש להפקיד.

שקיעת אדים כימית אורגנית (MOCVD) היא גרסה שונה של שקיעת אדים כימית (CVD) [22,23]. הוא משמש לייצור סרטים דקים מוליכים למחצה גבישיים בטוהר גבוה ומבנים מיקרו/ננו.

MOCVD, המכונה גם MOVPE או OMVPE, היא שיטה בשימוש נרחב לגידול חומרים מוליכים למחצה מקבוצת III-V על מצע סיליקון.

בנוסף ליכולתו להשיג ייצור ברמת דיוק גבוהה, MOCVD מציע את היתרון של הפקדת סרטים דקים בנפחים גבוהים. יכולת ייצור בקנה מידה גדול זה מדויקת יותר בהשוואה לשיטות אחרות. יתר על כן, MOCVD הוא תהליך גמיש, מה שהופך אותו לבחירה חסכונית יותר בהשוואה לתהליכים חלופיים.

חברות רבות מספקות סובסידיות הנעות בין 8-10 מיליון יואן (כ-1.2 עד 1.5 מיליון דולר) לרכישת כורי MOCVD. כורים אלה, השייכים לדור האחרון של מערכות בעלות קיבולת גבוהה, עולים בדרך כלל כ-2.5 מיליון דולר כל אחד.

הומצא בחברת Rockwell International על ידי Harold Manasevit, MOCVD היה מוכן להמשך חקירה וקידום כאשר ראסל Dupuis הפך לחלק מהחברה ב-1975.

מבעבע ב-MOCVD מתייחס לצילינדר המהווה חלק בלתי נפרד ממערכת השקיעה הכימית האורגנית של מתכת (MOCVD). התקנים אלה תוכננו במיוחד להובלת תרכובות מתכת-אורגניות בדרגה אלקטרונית ממבשר נוזלי או מוצק לצורת אדים שניתן להשתמש בה בתהליך.

שיעורי צמיחה אופייניים לסרטי GaN מתכת-אורגניים (MOCVD) עם ניידות גבוהה נעים בין 2 ל-3 מיקרומטר לשעה.

MBE ידוע בדיוק הגבוה שלו, אבל הוא מגיע עם תג מחיר גבוה ודורש שואב אולטרה גבוה. מצד שני, MOCVD היא אפשרות חסכונית יותר הפועלת תחת לחץ. עם זאת, חשוב לציין ש-MOCVD עשוי שלא להציע את אותה רמת דיוק כמו MBE. בסופו של דבר, הבחירה בין שתי הטכניקות צריכה להתבסס על הדרישות הספציפיות של היישום ורמת השליטה הרצויה על השכבות המצופות.