什么是 MOCVD
MOCVD，即金属有机化学气相沉积，是照明行业在基底上沉积材料薄膜的一种技术。该工艺使用金属有机前驱体，在反应腔内加热产生蒸汽。产生的蒸汽与半导体基底反应，形成薄膜。MOCVD 是在严格控制的条件下进行的，包括对温度、压力和气体流速的精确控制。
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常见问题
MOCVD 如何工作
在 MOCVD 工艺中，加热后的晶片暴露在含有三甲基镓和氨（TMGa、NH3）等 "前驱体 "的气流中。这些前驱体在加热时会分解，温度通常在 400°C 至 1300°C 之间，具体取决于要沉积的材料。
CVD 与 MOCVD 的区别是什么？
金属有机化学气相沉积（MOCVD）是化学气相沉积（CVD）的改进版 [22,23]。它可用于生产高纯度晶体半导体薄膜和微/纳米结构。
MOCVD 和 MOVPE 的区别是什么？
MOCVD 也称为 MOVPE 或 OMVPE，是一种在硅衬底上生长 III-V 族半导体材料的广泛应用方法。
MOCVD 有哪些优势
除了能够实现高精度制造外，MOCVD 还具有大批量沉积薄膜的优势。与其他方法相比，这种大规模生产能力更为精确。此外，MOCVD 是一种灵活的工艺，与其他工艺相比更经济。
MOCVD 的成本是多少
许多公司为购买 MOCVD 反应堆提供 800 万至 1000 万元（约合 $1.2 至 $1.5 百万元）不等的补贴。这些反应器属于最新一代的大容量系统，通常每台价格约为 $250 万元。
谁发明了 MOCVD
MOCVD 由 Harold Manasevit 在罗克韦尔国际公司发明，1975 年 Russell Dupuis 加入该公司时，MOCVD 已做好了进一步探索和发展的准备。
什么是 MOCVD 中的气泡器
MOCVD 中的鼓泡器是指作为金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 系统组成部分的圆筒。这些设备专门用于将电子级金属有机化合物从液态或固态前驱体转化为可在工艺中使用的气态形式。
MOCVD 的增长率是多少？
具有高迁移率的金属有机化学气相沉积（MOCVD）氮化镓薄膜的典型生长速度为每小时 2 至 3 μm。
与 MBE 相比，MOCVD 有哪些优势
MBE 以高精度著称，但价格昂贵，而且需要超高真空。另一方面，MOCVD 是一种在压力下操作的更具成本效益的选择。不过，需要注意的是，MOCVD 可能无法提供与 MBE 相同的精度。最终，应根据应用的具体要求和所需的涂层控制水平来选择这两种技术。
