MOCVDとは

MOCVDプロセスでは、加熱されたウェーハは、トリメチルガリウムやアンモニア（TMGa、NH3）などの「前駆体」を含むガス流にさらされる。これらの前駆体は加熱されると分解し、通常、蒸着する材料に応じて400℃から1300℃の範囲の温度で分解する。

有機金属化学気相成長法（MOCVD）は、化学気相成長法（CVD）を改良したものである[22,23]。高純度の結晶性半導体薄膜やマイクロ／ナノ構造の製造に利用される。

MOCVDはMOVPEまたはOMVPEとも呼ばれ、シリコン基板上にIII-V族半導体材料を成長させる方法として広く用いられている。

高精度の製造が可能なことに加え、MOCVDには薄膜を大量に成膜できるという利点がある。この大量生産能力は、他の方法と比べてより正確である。さらに、MOCVDはフレキシブルなプロセスであるため、代替プロセスと比較した場合、より経済的な選択肢となります。

多くの企業がMOCVDリアクターの購入に800万〜1,000万元（約$120万〜$150万）の補助金を出している。これらのリアクターは最新世代の大容量システムに属し、通常1台あたり約$250万円である。

ハロルド・マナセビットがロックウェル・インターナショナル社で発明したMOCVDは、1975年にラッセル・デュプイが同社の一員となったとき、さらなる探求と進歩の準備が整っていた。

MOCVDにおけるバブラーとは、有機金属化学気相成長（MOCVD）システムに不可欠なシリンダーを指す。これらの装置は、電子グレードの有機金属化合物を液体または固体の前駆体から、プロセスで利用できる蒸気の形態に輸送するために特別に設計されています。

有機金属化学気相成長法（MOCVD）による高移動度のGaN膜の典型的な成長速度は、毎時2～3μmである。

MBEはその精度の高さで知られているが、高価格で、超高真空を必要とする。一方、MOCVDは圧力下で作動する、よりコスト効率の高いオプションである。しかし、MOCVDではMBEと同レベルの精度が得られない可能性があることに注意が必要である。結局のところ、2つの技術のどちらを選択するかは、アプリケーションの具体的な要件と、コーティング層に対する所望の制御レベルに基づいて決定されるべきである。